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Si4483EDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.8
0.6
50
40
I D = 250 μA
0.4
30
0.2
20
0.0
- 0.2
- 0.4
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited by
R DS(on) *
1 ms
10 ms
100 ms
1s
Time (s)
Single Pulse Power
0.1
0.01
0.1
T C = 25 ° C
Single Pulse
10 s
DC
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which r DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
t 2
t 2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 1
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 70 ° C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
0.01
10- 4
10- 3
10- 2
10- 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 72862
S-83038-Rev. D, 22-Dec-08
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